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外延片(EPI)
外延片

外延片(EPI)指的是在襯底上生長出的半導體薄膜,薄膜主要由P型,量子阱,N型三個部分構成。現在主流的外延材料是氮化镓(GaN),襯底材料主要有藍寶石。矽,碳化在三種,量子阱般爲5個通常用的生産工藝爲金屬有機物氣相外延(MOCVD),這是LED産業的核心部分,需要較高的技術以及較大的資金投入。
目前在矽襯底上可以做普通外延層,多層結構外延層,超高阻外延層,超厚外延層,外延層電阻率可達一千歐姆以上,導電類型爲:
P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+等多種類型。
矽外延晶片是用于制造廣泛的半導體器件的核心材料,在消費、工業、軍事和空間電子學中都有應用。

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商品詳情
直徑 4"  5"  6"  8" 
外延層 摻雜 Boron, Phos, Arsenic
  晶向 <100>, <111>
  導電類型 P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+
  電阻率 0.001-50 Ohm-cm
  電阻率均匀性 Standard <6%, Maximum Capabilities <2%
  外延層厚度 (um) 0.1-100
  厚度均勻性 Standard <3%, Maximum Capabilities <1%
襯底 晶向 <100>, <111>
  導電類型/摻雜元素 P Type/Boron , N Type/Phos,  N Type/As, N Type/Sb
  厚度 (um) 300-725
  電阻率 0.001-100 Ohm-cm
  表面狀態 P/P, P/E
  顆粒度 <30@.0.5um

 

 

廣東2021欧洲杯外围爲一些最重要的微電子應用提供了多種生産證明和行業標准的矽外延工藝技術:
二極管
•肖特基二極管
•超快二極管
•齐纳二極管
•PIN二極管
•瞬態電壓抑制器(TVS)
•和其他

晶體管
•功率IGBT
•動力DMO
•MOSFET
•中等功率
•小信號
•和其他

集成電路
双极集成電路
•EEPROM
•放大器
•微處理器
•微控制器
•射頻識別
•和其他
 
       对于集成電路制造商硅峰提供在襯底上具有埋入离子注入或扩散层的硅外延沉积服务。
       根据生长方法可以将外延工艺分为两大类(表1):全外延(Blanket Epi)和选择性外延(Selective Epi, 简称SEG)。工艺气体中常用三种含硅气体源:硅烷(SiH4),二氯硅烷(SiH2Cl2, 简称DCS) 和三氯硅烷(SiHCl3, 简称TCS);某些特殊外延工艺中还要用到含Ge和C的气体锗烷(GeH4)和甲基硅烷(SiH3CH3);选择性外延工艺中还需要用到刻蚀性气体氯化氢(HCl),反应中的载气一般选用氢气(H2)。" ~1 X. i9 V% A7 I
 
       外延选择性的实现一般通过调节外延沉积和原位(in-situ)刻蚀的相对速率大小来实现,所用气体一般为含氯(Cl)的硅源气体DCS,利用反应中Cl原子在硅表面的吸附小于氧化物或者氮化物来实现外延生长的选择性;由于SiH4不含Cl原子而且活化能低,一般仅应用于低温全外延工艺;而另外一种常用硅源TCS蒸气压低,在常温下呈液态,需要通过H2鼓泡来导入反应腔,但价格相对便宜,常利用其快速的生长率(可达到5 um/min)来生长比较厚的硅外延層,这在硅外延片生产中得到了广泛的应用。IV族元素中Ge的晶格常数(5.646A与Si的晶格常数(5.431A差别最小,这使得SiGe与Si工艺易集成。在单晶Si中引入Ge形成的SiGe单晶层可以降低带隙宽度,增大晶體管的特征截止频率fT(cut-off frequency),这使得它在无线及光通信高频器件方面应用十分广泛;另外在先进的CMOS集成電路工艺中还会利用Ge跟Si的晶格常数失配(4%)引入的晶格应力来提高电子或者空穴的迁移率(mobility),从而增大器件的工作饱和电流以及响应速度,这正成为各国半导体集成電路工艺研究中的热点。
 
       由于本征硅的导电性能很差,其電阻率一般在200ohm-cm以上,通常在外延生长的同时还需要掺入杂质气体(dopant)来满足一定的器件电学性能。杂质气体可以分为N型和P型两类:常用N型杂质气体包括磷烷(PH3)和砷烷(AsH3),而P型则主要是硼烷(B2H6)。
 
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